锰锌铁氧体发展

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资源描述:
004;6阳开新,磁心在直流预磁化状态下的特性J,国际电子变压器,2004,617k.co.jp,2004;5TDK网上产品目录,http//www.tdk.co.jp,25181;7明石雅夫,高性能锰锌铁氧体“超优铁氧体”,电子材料日,1970,,2004;4FDK网上产品目录,http//www.fd2127;8金鑫,双重特性Mn-Zn铁氧体高Q高Bs材料A,第三届永磁及软磁铁氧体技//,2004;3PHILIPS网上产品目录,http//wwJ,国际电子变压器,2004,8192198;2EPCOS网上产品目录,http术交流会论文集C,2004;9颜冲,用于XDSL变压器的铁氧体磁心R,东磁科技论文集用户和同行参阅,恳请提出宝贵意见。参考文献1何时金,等,宽温软磁材料的现状与开发,第二卷,20042023;10刘九皋,宽频高软磁铁氧体材料的设计参考J,国际电子工作得到了国际同行的肯定。在本文结束之际,特将东磁公司Mn-Zn铁氧体材料体系的开发思路附上,供广大变压器,2002,10200208;11STEWARD公司网上产品目录,http/年8月美国旧金山召开的第九届国际铁氧体会议ICE-9上,东磁公司有七篇成果论文被选中发表,我们的/,2004;12NICERA公司网上产品目录,http//速向产业化过渡。这些骄人的先导型成果显示了我公司创新群体高瞻远瞩、勇攀高峰的宏伟气魄和卓越技能。在今www.nicera.co.jp,2004;13HITACHI公司网上产品目录,http/C95、PC90材料性能相同的东磁功率铁氧体系列新材料都已由国内外专家和博士后人员协作开发成功,正加/www.hitachi-metals.co.jp,2004;14邵顺中,广谱宽频低功耗DM路,又开发了DMR2KP和DMR1.2KH及DMR33材料。此外,与TDK公司PC45-PC47及P1.2K材料J,磁性材料及器件,2002,3342123;15横店集团东磁股份有0Bs已达到450mT,以此为基础,在市场的推动下,我们按高Fe2O3低ZnO配方优选有效掺杂的思限公司DMEGC软磁材料产品目录,2004。13东磁公司高磁导率软磁铁氧体材在Mn-Zn功率材料高频应用方面已领先国内外同行。此后又提高Bs值,开发了DMR1.2KB材料,10料14,15,其应用频率已拓展到5.64MHz,磁心器件高频性能得到了美国Pulse公司的好评,料开发思路R30KTDK H5C5i30000tg/i15。综合PC50及3F4高频功率材料的特点,2002年东磁公司即推出了广谱宽频DMR1.2K系列材10-610kH,25Bs 380mT25;Tc 110R18KTok将要公布的4H50,均把高温Bs推向了新的水平,且由于i的降低,功率材料的应用领域则推向了更高频率in 18000Hi18000tg/i1010-610kH,25B料500kHz、50mT、140条件下Pcv300mW/cm3;FDK公司4H45、4H47直到s 360mT25DF210-6;Tc 1100还有400mT,100kHz、200mT、100条件下Pcv350mW/cm3;而3C93材R15KTDK H5C3i15000tg/i 710-610kH在宽温宽频两方面的工作更为出色。如Philips公司的3C92材料,100Bs值为460mT,14,25Bs 360mT25DF210-6Tc 110R15KF,刷新了TDK公司所有功率材料的高温直流叠加特性记录。事实上,荷兰Philips公司和日本FDK公司Hitachi MP15Ti15000tg/i 710-610kH,25T曲线的宽温低功耗特性,今年十月,又在PC33和PC44材料的基础上,推出了宽温高Bs PC90材料B0.310-6;DF110-6210-62060Bs3,基本上把PC44、PC45、PC46、PC47材料PcvT曲线的谷点连接起来,实现了平缓Pcv曲线高Bs低功耗材料向宽温宽频特性方面拓展的工作更是有声有色,日本TDK公司去年推出PC95材料60mT25;Tc 110i100kHz i10kHzR15KB图3 日立公司MP15T材料-f特性 图4 EPCOS公司T66材料磁谱综合Nicera 15H,NEC/Tokin 15H,FDK 2H15i15025B0.25mT,T25f/kHzf/kHz00;B110-6;tg/i 710-610kH,25-0.52 图2 STEWARD公司40材料磁谱曲线B0.25mT,T.510-6-3070Bs430mT25;220mT100;Tc 25mT,T25f/MHzT/图1 EPCOS公司T66材料温度曲线 110R15KTF综合EPCOS T66,Hitachi MP15T i5/25tg/iB0.25mT,T25B0.15000;B0.510-6;tg/i 110-610kH,251材料。在此基础上改进配方的高材料还大大提高了宽频阻抗特性。ii210-6-4080Bs360mT25;Tc 110i100kH-T曲线,其中STEWARD公司40材料直到300kHz i还没有下降,这是当前最好的宽频10K6-4080;f特性100kHz以内i 15000。图24是几种高材料的z15000WTWfWfBsi15000;tg/i110-610kHz;B0.310-6/mT; 110-R12KTF综合TDK H5C4,ACME A121 i12000; 司MP15Ti 15000材料13宽频低磁损特性,制定了性能独特的攻关目标,其主要指标为 9000 -20tg/i 710-610kH,25Bs38015KTF材料,其性能指标优于目前为止性能最全面的T66i 13000材料,同时又综合了日立公mT25;Tc 120DF210-6;B0.510-6;i100kHz时初始磁导率均不下降。东磁公司综合最新材料特性,由博士后科研工作站领衔主攻宽频宽温低损耗高稳定RHz12000R12KNEC/Tokin 12Hi12000tg/i-T曲线特别平坦,见图1。与此同时,各公司推出的宽温材料基本上都具有宽频特性,上述高材料在100k 710-610kH,25Bs 380mT25DF210-6Tc3-20初始磁导率大于9000,而前文所述EPCOS公司的T66材料在-4080间 120R12KFACME A121 i12000; tg/i 7材料的宽温指标也一再刷新,如日本NICERA公司12WT-10和TDK公司H5C4材料均要求-210-610kH,25Bs380mT25;Tc 120DF210-6推出了-4085相同性能的46材料,宽温高直流叠加特性材料的市场竞争情况由此可见一斑。高月又改进推出DNW45,把温度范围扩展至-4085,与此同时美国STEWARD公司11也;B0.510-6;i100kHz i10kHzWfW号为DN45,专用于高速局域网HLAN脉冲变压器,直流叠加特性要求的温度范围是070,到九TWfR10KTZ综合 Nicera WT-10,EPCO流,电感量满足相应要求。有些用户要求温度上限直达航天标准125,这种材料去年六月TDK公司推出时型S新T38i10000;9000 -23tg/i210-610k小磁环,最终要求在-4085宽温范围、100kHz及100200mV交变场下,叠加8mA直H,25Bs430mT25,260mT100tg/i210-61海底光缆系统的水下设备等等。如东磁公司去年开发并迅速投产供应外商的几种宽温高直流叠加特性的网络通信用0kH,25Tc 130;B0.310-6i160kHz i1用家电仪器仪表等关乎国计民生的众多部门,特别是现代通信设备的户外设施,如中继器、增音机、微波接力站、0kHzR10KDNicera 10TBi10000;B0.12性能改进的一大亮点。三、宽温、宽频特性宽温软磁材料适用于航天、舰艇等国防武器装备系统和民10-6tg/i310-6100kH,250.610-6-255Hz以下,而B保持在0.510-6/mT水平。总之,降低损耗,降低谐波失真已成为Mn-Zn铁氧体,EPCOS公司去年公布的i13000的T66材料则把比损耗系数tg/i降到110-610k5Tc 130;B0.1210-6R10KBi10000;B0出DN70时B已降为0.210-6/mT,NICERA公司10TB材料则降为0.1210-6/mT.310-6tg/i510-610kH,25Bs440mT25,260以适应高速发展的网络通信磁心的低失真要求。如日本TDK公司DN40材料B为0.810-6/mT,推mT100Tc 130R10KTDK HS10,H5C2i10000当属顶级的宽温功率材料。高材料方面,在提高磁导率降低损耗的同时,也重点降低了比磁滞损耗B值,tg/i3010-6100kH,25Bs 400mT25Tc 与高温功耗值完全相同,钦佩之余,甚感迷惘,假如该公司公布的资料没有出错,则再把Bs值提高一个档次,应130BsWfBsTHDR7同步变化。最近在网上看到某种功率材料25kHz至500kHz的四组Pcv-T曲线几乎平行,低温功耗值KDTDK DN70i7500;B0.210-6;tg/i210-6重合而有所偏移,这是因为三种损耗随频率和温度的变化趋势各不相同,则三者间的比例和组成的总损耗值都不会10kH,25Bs 410mT25Tc 130;B0.210-6注意的是,同一材料不同频率和磁通密度下测得的Pcv-T曲线其形貌走势并不完全相同,特别是谷点不能完全R7KTDK HS72i7000tg/i6.510-610kH,25于N45的3B46材料其B为0.1210-6/mT。h10与B之间的换算可参阅文献10。值得8材料B为0.410-6/mT;N45材料B为0.310-6/mT;而荷兰Philips公司等同Bs 420mT25Tc 130THD铁氧体1000SF的h10为4h105.03107B,单位为mT-1;德国EPCOS公司N4R5KBTDK DN50i550;Tc 210tg/i1010-6改进,推出了一系列低磁滞损耗材料。如日本早期推出的高Q材料优铁氧体2001F,其h10为15;超优10kH,25Bs550mT25;380mT100PCV 5502法,同时还研究了磁心形状和线圈结构与B三者联合作用对磁心电感总谐波失真THD的影响。通过对THD的5;45040100kHz,200mT 1000100R4KDTD保持低功耗。在全面降低三种损耗、改善温度特性的同时,不少研究者9都重点研究了磁滞常数B的降低方K DN40i4000;B0.810-6tg/i2.510-610kH物,可以使-T曲线平坦即K1-T曲线平缓,获得平缓且低值的Pcv-T曲线,使材料在较宽温度范围,25Bs 405mT25Tc 140R5KTDK HS52耗值最小,因而其直流电阻率也相应最大。综上所述,合理选择配方,调整Fe2O3含量,优选合适的添加i5000tg/i6.510-610kH,25Bs 420mT25是随着Fe2O3含量的增加,功耗随温度变化Pcv-T曲线的谷点向低温移动,这个温度点谷点的磁心损Tc 140THD,BsDC-Bias加,Fe2的生成量也随之增加,Fe2 Fe3之间的电子迁移加剧,会造成一定温度下电阻率下降,但Fe2O3含量以降低磁滞损耗和剩余损耗的措施中,涡流损耗也可以随之降低。虽然,随着Fe2O3含量的增Q值,Bs,THDQ值,Df,THDWT,DC-Bias频率的二次方成正比,通过在晶界形成高电阻层可减小涡流损耗。一般认为涡流损耗与电阻率成反比。在前述增大DMR4KBQ综合EPCOS N45Philips 3B46i3800;Tc ZnO含量减少,导致初始磁导率下降,使f特性的共振频率移向高端,也可抑制剩余损耗。涡流损耗与255tg/i210-6100kH,25B0.1210-6;产生的,通过细化晶粒,减少畴壁,抑制畴壁共振,从而降低剩余损耗。另外,配方中Fe2O3含量增加,或者2.5410-6525-3110-62555DMR2KD综合TO3含量增加,可使Hc降低,因而磁滞损耗也相应降低。而高频下剩余损耗占主导地位,这种损耗是由畴壁共振okin 2001FEPCOS N48 i2000;Tc 170tg/体材料以磁滞损耗为主,其值为磁滞回线的面积与频率的乘积,所以与矫顽力Hc的大小密切相关,配方中Fe2i2.310-6100kH,25B0.310-6;DF210-60种损耗所占比例不同,利用SY8232 BH分析仪,可在一定频率和磁通密度下对其进行分离。低频下,铁氧.51.510-6060DMR4KDC综合TDK DNW45STEWARD 2KF、R15KTF等兼顾多项性能的Mn-Zn铁氧体磁心,详见后文所附材料开发体系表。不同频率范围各磁导率、降低比损耗为核心,开发了一系列低损耗、低谐波失真材料,如R5KB、R7KB、R10KD、R1 46i4000;Tc 150tg/i3.510-610kH,2501F和N48、DMR4KBQ8相当于N45和3B46低损耗、低谐波失真材料为基础,以提高DC-Bias070及-4085特性 DC 80mA时i250被赋予高Bs的新特征后,在强电和弱电领域独领风骚,正成为热销品种。东磁公司以DMR2KD相当于200注Pcv单位kW/m3;B、h10单位mT-1司2001F又焕发生机,加上去年又出现了前文提及的N45和3B46材料,这些高Q、低谐波失真材料;Bs单位mT;材料名称后缀字母“B”为高Bs材料;“Z”为高阻抗材料;“D”为低损耗或低谐波失真材、DF及B等均按降导比的不同方次幂得到改善。近期,EPCOS公司的N48材料接近于TOKIN公料;“DC”为高直流叠加特性材料;“F”为宽频材料;“T”宽温材料;“TF”为宽温宽频材料;“Q”为e,其比值e/i称为降导比,按斯诺克公式,磁心的Q乘积不变,所以开气隙磁心的有效Q值及有效高Q材料。东磁公司功率铁氧体开发思路DMR93 Philips 3C93ig/i的倒数,是材料的本征特性之一,当磁心开具气隙后,由于退磁作用,初始磁导率i降为有效磁导率1800Bs52025430100360140Pcv140数DF小,特别是磁滞常数B大大减小,因而通信系统总谐波失真THD值小。Q乘积等于比损耗系数t 100kHz 200mT 350 500kHz 50mT 3001000SF7材料,其特点是Q乘积高1000SF达1.25106,比温度系数F及比减落系证载波通信设备的稳定性,日本NEC/TOKIN公司最早用共沉淀法开发了优铁氧体2001F和超优铁氧体DMR1.8K ISKRA 55G、ACMEP51i1800Bs40010低损耗、低失真特性对于Mn-Zn铁氧体材料,降低损耗值是几代人不懈追求的课题。模拟通信年代,为保0Pcv 100kHz 100mT 70 100 300kHz 100mT 2KB1200520450150100,5.64MHz,2.5mT二、330400kHz 50mT 120500kHz 50mT 180DMR50BBs R1.2KH1200530470150100,1MHz,30mTDMR1.,Pcv,TPBs ii1300Bs51025 41060DMR2KP2000520450450100,100kHz,200mTDMDC-BiasPcv 100kHz 100mT 150 100 400kHz 02200540450320100,100kHz,200mTDMEGC50mT 120500kHz 50mT 1501MHz 30mT 180 PC95330053041028080,100kHz,200mTPC9 BsDMR50 TDK,PC50;ISKRA75Gi1400BsTDKPC472500530420250100,100kHz,200mT47025 380100Pcv 500kHz 1302550mT4H471200530470650100,100kHz,200mTTFDK4H452000520450450100,100kHz,200mT 808080100DMR1.2Ki1200Bs5002140350140,100kHz,200mT300140,500kHz,50m5 420100Pcv100,1MHz 30mT 150 3MHz 1后,磁化曲线上则出现了尖叶状的磁滞回线。当H足够小时,其平均斜率与可逆磁导率近似相 等。小磁滞回线曲线,如图二所示。 当直流磁场由 退磁状态开始逐渐增大,在叠加了一个振幅为H/2的交流场以磁 导率与可逆磁导率rev,并非单纯受磁场强度的作用,而是与磁化过程有关,文献1给出了相关磁导率i,但是磁心的使用者,也就是电感变压器的制造商,他们设计时,却并不是这种理想的极端状态。增量等于可逆磁导率rev,又假如此时直流偏置场也足够小,即 0时,这时的可逆磁导率rev就等于起始频率下用较小电压(或电流)测量处于直流偏置下的磁心电感量,即H0时,这时外推的增量磁导率 就磁导率,即增量磁导率,从图中可看出 当交变场即工作场足够小时,磁心制造厂家通常在规定的工作点的变化而呈现不同倾斜状态,如图一所示。这些小磁 滞回线的倾斜度可用它的平均斜率来计量,称作叠加路的音 频变压器、滤波器即工作在此状态。在较高的交变场下,随着场强幅度的高低,所产生的磁滞回线也随着,通常简称直流叠加。在较低的交变场下,由于场强振幅远低于矫顽力,所以产生的磁滞回线呈椭圆形。如通信线变信号或功率变换的,因而在实际应用场合,交变磁场与直流磁场同 时作用于磁心,则磁心处于交直流叠加状态的倾斜度随着直流磁场的增大而变小,到饱和时,和rev接近于1,通常功率变压器和开关电源的设计者AS。 直流偏磁场的出现使磁心被磁化了,但电感器和变压器中磁心绕组的主要工作任务是用来传输交一要求的工作状态。这种电路中给直流偏压的常用手段,在磁心绕组中则产生一个直流偏磁场,即所谓DC-BI应用十分广泛。在电子电路中,往往要通过磁心绕组的偏流给固体电子器件建立一个适宜的工作点,以使其处于某Q”为高Q材料。1直流偏磁场、交变工作场与增量磁导率 软磁铁氧体材料作为电感器或变压器磁心的失真材料;“DC”为高直流叠加特性材料;“F”为宽频材料;“T”宽温材料;“TF”为宽温宽频材料;“T-1;Bs单位mT;材料名称后缀字母“B”为高Bs材料;“Z”为高阻抗材料;“D”为低损耗或低谐波20注Pcv单位kW/m3;B、h10单位m0mT 250 75 TP25 460 100650 153025 420100Pcv 100kHz 570 2520120DMR45TDK PC45,Philips 3C96i2500Bs0 25200mT 250 45 TP45660 100760 i3200Bs52025 410100Pcv 100kHz 35250 100 TP100360 120DMR46TDK PC46并不把工作点选到饱和状态。一般 为可用磁通密度,即饱和磁通密度Bs的80,约400mT左右。而磁心0100Pcv 100kHz 600 25200mT 400 60DMR47TDK PC47i2500Bs53025 42s ,Pcv-WTBs, Pcv,TPkHz 600 25200mT 300 100380 120BC96i2400Bs51025 390100Pcv 100290 100350120DMR44TDK PC44,Philips 3380120Pcv 100kHz 350 25200mT 280 8095TDK PC95i3300Bs53025 410100 ,PcvBs DC-BiasPcv,DMR 600 25200mT 410 100500 120Bsi2300Bs51025 390100Pcv 100kHz 400kHz 50mT 220DMR40TDK PC40,Philips 3C94100 100kHz 200mT 550200kHz 100mT 320 制造厂家,通常测试功耗和振幅磁导率的Bs远低于此值,产品检测条件与使用条件的 差异,使得磁心制造者与DMR40Bi2600Bs52025 410100Pcvv 100kHz 680 25200mT 470 80320 100TDK PC90i2200Bs54025 450100Pcz 200mT 100350i,fDMR901500Bs54025 460100400140Pcv100kH 100 650DMR92 Philips 3C92ii1200Bs53025470100Pcv100kHz 200mT600100200mT 680120DMR1.2KH FDK4H4752025 440100Pcv 110025100kHz Bs fBs fDMR33 TDK PC33i1400Bs 450 Bs, f,iBs, f,i00Bs52025450100Pcv100kHz 200mT 100 0mT 2605.64MHz 2.5mT 150DMR2KPFDK4H45i20磁心使用者之间有时很难取得对某些性能一致的看法,当沟通不充分时,甚至还会产生制造者不得不降低一些优异350100,100kHz,200mT3C9318005204303600-6100kHz,253C921500540460400140z,25Philips3B463800545435tg/i 1.61-3EPCOSN453800550435tg/i 210-6100kH率i常温25Bs/mT高温100Bs/mT 谷点功耗/mWcm新推出的高Bs材料性能。表1 世界名大公司最新推出的高Bs材料性能表公司牌号初始磁导性,不然,经常会出现高温Br大于常温Br的情况,以致改善直流叠加特性的举措失败。表1列出了各大公司最相近,而Bs则是随温度的升高而降低。所以,在配方和添加物的选择上,必须充分考虑Br和Bs不同的温度特叠加特性要求的材料,其功耗谷点必然在高温,谷点处Br值接近最低。因为BrT曲线同PcvT曲线趋势Br,特别是高温Br,高温Br值一般在5060mT,目前东磁公司试验水平已降到30mT。有高温直流过多种途径进一步降低,所以在改善直流叠加特性方面,各大公司的锰锌铁氧体材料除提高Bs外,还刻意追求低良好的DC-Bias特性。材料制造商明白,Bs受到理论值上限的约束,已无多少提高的余地,而Br却可通。理论和实践证明6,只有提高Bs同时降低Br,即增大B值,使材料的磁滞回线倾斜成恒导型,才具有耗谷点和相应的Bs要求。而直流叠加特性的改善,除上述高Bs要求外,还应得益于剩余磁通密度Br值的降低性能,而用削足适履 的下策以适应设计者的初始要求,因为这些要求往往是在设计者只能用最初获得的一般宽温,用户特别重视高温直流叠加性能,甚至高达125,Philips公司3C93材料已实现140功磁心电感量是在工作的交变场下测得,要求这个交变场频率越高越好,相应的场强也是越高越好;工作环境要求流磁场以上,的下降趋势越缓慢越好,即叠加上直流以后的磁心电感量不能下降太低,其值越高越好;上述或称叠加磁导率开始下降的临界直流磁场要高,即材料不变时所能承受的叠加直流电流要高;在临界直直流叠加特性。所谓高直流叠加特性,是指以下几个方面在材料的HDC性能曲线上,增量磁导率的影响。当然,Bs,特别是高温Bs的提高,不仅仅是为了传输更大的功率,同时还可以大大改善磁导率的料常温Bs值也刷新到了430450mT的水平,除改善直流叠加特性外,还大大降低了装配压力对磁心电感s公司3C92水平。在功率铁氧体材料市场拓展方面,各公司真可谓你方唱罢我登场,使出了浑身解数。高材P及DMR1.2KH材料高温Bs分别为460mT和470mT,已接近FDK公司4H47和Philip为450mT,且100kHz、200mT、100状态下功耗为320mW/cm3;东磁公司DMR2K推出PC95后,今年又适应市场需求推出了宽温高Bs PC90材料,其常温Bs为540mT,100时公司去年推出的4H45和4H47材料,100时Bs分别为450mT和470mT;日本TDK公司去年后的3C92材料,常温Bs为540mT,100时达460mT,140时尚达400mT;日本FDK样品制作时所限定的。 2交直流叠加状态分析与改善叠加特性的方法 文献2全面分析了出的N45和3B46材料,其常温Bs为550mT,100时为435mT;荷兰Philips公司改进,不遗余力的推陈出新,取得了不少出色的成果25。如德国EPCOS和荷兰Philips公司去年推乎调整工艺,如提高磁心密度和优选配方及有效添加物。近两年来,国内外厂家在提高Bs,特别是高温Bs方面磁心绕组因阻抗降低而恶性发热甚至烧毁。一般“可用磁通密度”为饱和磁通密度的80,提高Bs的途径不外工作在“可用磁通密度”,而不是硬饱和状态,以避免磁通密度处于磁滞回线非线性区域时导致磁导率陡直下降,抵偿磁心材料功耗的增加。所以,新的设计理念是以低的交流励磁电平而不再以高的励磁电平激励元件,即让磁心度下工作以降低铜线绕组功耗,因为Mn-Zn铁氧体磁心在这种情况下功耗会急剧增大,绕组功耗的降低远不能,其饱和磁通密度Bs越高,则磁心处于正常工作状态时越不容易饱和。新的设计理念不再偏重使磁心在高磁通密波失真THD兼具的特点。一、高Bs、高DC-Bias特性高Bs材料也就是功率铁氧体材料宽宽频、宽温、两高高Bs、高DC-Bias性能、两低低的比损耗系数tg/i或Pc、低谐括高磁通密度下的功耗Pc和总谐波失真系数THD以及更宽的使用频率和更广的使用温度范围。即所谓两1。这就是要求材料具有更高的饱和磁通密度Bs,更好的直流叠加特性,更低的比损耗系数tg/i包下,为保证设备系统稳定、可靠、高效运行,一种求新、求全的理念,已逐渐主导着铁氧体软磁材料的研发方向磁心在直流预磁化下的特性,指出在功率铁氧体的应用中,很多情况下是方波脉冲电压决定的脉冲磁化,而且单极的应用领域,使这种基础功能材料的发展出现了勃勃生机。在IT产业、电力电子,特别是网络通信等用户的苛求; Low THD近两年来,世界各大铁氧体公司竞相提高锰锌铁氧体材料技术性能,以适应日益拓展terials; wide frequency; wide temperature; DC-biasisting Mn-Zn ferrite. Key words Soft ferrite maZn ferrite was proposed, which was based on the exHD. In addition, the developing direction of Mn-o low” low loss, low Total Harmonic Distortion T high” high Bs, high DC-bias perance and “twide temperature range, wide frequency range, “twoacteristics of their development are “two wide” wh Q, which are crossing each other. The main char high permeability, high Bs low power loss and higized. This material series mainly have three part脉冲磁化在功率铁氧体应用 中更为普遍。图三所示为不同的直流偏置和不同的脉冲幅度下,s of some main enterprises in the world was summarhis paper, the latest development of Mn-Zn ferritep Co.LTD, Dongyang 322118, ChinaAbstract In t0018, China;2. Dongyang Magnetic enterprise grouf DMEGC, China Institute of Metrology, Hangzhou 31 Jiu-gao1,2, FU Xiao-min21. Research Institute opment of Mn-Zn ferrite in magnetic propertiesLIU发思路。关键词软磁铁氧体材料 宽频 宽温 直流叠加 低谐波失真Develo密度,高直流叠加性能、两低低损耗或低功耗,低谐波失真的技术特点,提出了以现有材料体系为基础的研高Bs低功耗,高Q相互交叉,求新求全发展的动向,总结了新材料两宽宽温,宽频、两高高饱和磁通要综述了近两年来世界各大公司锰锌铁氧体材料技术特性日新月异的进步,指出了该材料系列三大板块高,州 310018 2横店集团东磁股份有限公司 浙江东阳 322118摘 锰锌铁氧体材料技术性能的拓展刘九皋1,2 傅晓敏2 1中国计量学院东磁研究院 浙江杭
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